inx是一种新型专利技术属于一种玻璃衬底太阳能电池制造技术。

特别涉及一种本征层可调带隙且具有量子阱结构的InXGa1-XN玻璃基片薄膜太阳能电池，从上到下依次包括金属Ag电极、第一透明导电薄膜、N型InGaN薄膜、可调带隙的量子阱InxGa1-xN本征层、P型InGaN薄膜、第二透明导电薄膜、绝缘保护层、普通玻璃衬底，其中可调带隙的量子阱InxGa1-xN本征层中x的取值为0～1范围。本新型结构的太阳能电池的模型。改变传统Si太阳能电池材料和结构，引入具有带隙可调的InxGa1-xN量子阱本征晶体薄膜作为太阳能电池材料，InxGa1-xN具有稳定好，耐腐蚀且具有隧穿势垒以及低的光损系数，提高了电池的转化效率。